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    首頁 > 產品中心 > 晶體產品 > Ⅲ-Ⅴ族晶體基片
    • GaN氮化鎵(GaN)晶體基片

      GaN易與AlN、InN等構成混晶,能制成各種異質結構,已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG(因為2-DEG面密度較高,有效地屏蔽了光學聲子散射、電離雜質散射和壓電散射等因素).科晶公司將為您提供高品質低價位的氮化鎵晶體和基片。

      訪問次數:1032    產品價格:面議    廠商性質:生產廠家    更新日期:2021-11-15

    • (MgAl2O4)進口鎵酸鋰(LiGaO2)晶體基片

      進口鎵酸鋰(LiGaO2)晶體基片

      訪問次數:662    產品價格:面議    廠商性質:生產廠家    更新日期:2021-11-15

    • (MgAl2O4)鋁酸鋰(LiAlO2)晶體基片

      鋁酸鋰(LiAlO2)晶體基片

      訪問次數:771    產品價格:面議    廠商性質:生產廠家    更新日期:2021-11-15

    • (MgAl2O4)鋁酸鎂(MgAl2O4)晶體基片

      鋁酸鎂(尖晶石)單晶廣泛應用于聲波和微波器件及快速IC外延基片。同時研究發現它是好的III-V族氮化物器件的襯底。MgAl2O4晶體由于很難維持它的單晶結構而難以生長,經過幾年的努力,目前科晶公司能夠提供世界上質量*尺寸的MgAl2O4晶體

      訪問次數:1486    產品價格:面議    廠商性質:生產廠家    更新日期:2021-11-15

    • AL2O3晶棒

      AL2O3晶棒

      訪問次數:707    產品價格:面議    廠商性質:生產廠家    更新日期:2021-11-15

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